Ionenstrahlen lassen Nano-Drähte wachsen
Archivmeldung vom 16.01.2007
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Freigeschaltet durch Thorsten SchmittEin menschliches Haar ist 2000 mal dicker als der Draht mit 10 bis 20 Nanometern Durchmesser, wie ihn Physiker im Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD) herstellen können. Das Besondere an diesem Nano-Draht: er wächst nicht als "Haarknäuel" auf einer Materialoberfläche, sondern kann direkt mit schnellen geladenen Atomen in ein beliebiges Material implantiert werden. Die Atome sind dabei gleichzeitig Werkzeug und Stoff, aus dem der Draht wächst.
Nano-Drähte werden für technische Anwendungen der Zukunft in der Nano-Elektronik
und Nano-Optik eine wichtige Rolle spielen. Nano-Drähte könnten etwa die immer
weiter fortschreitende Miniaturisierung mikroelektronischer Strukturen
vorantreiben oder die Datenübertragung mit Licht verbessern. Nano-Technologien
spielen zwar für die Produkte der Mikroelektronik-Industrie bereits eine gewisse
Rolle, doch sind heute vornehmlich Nano-Technologien auf chemischer Basis, etwa
zur Beschichtung und Versiegelung von Oberflächen, im Einsatz.
Die
Physiker im FZD bedienen sich zur Herstellung von Nano-Drähten des Werkzeuges
eines fein gebündelten Ionenstrahls, also eines Strahls aus schnellen,
elektrisch geladenen Atomen. Dr. Lothar Bischoff erläutert die Vorgehensweise
so: "Mit der Technik des fein gebündelten Ionenstrahls haben wir eine Art
Nano-Werkzeug zur Verfügung, mit dem es mühelos gelingt, die Materialoberfläche
bis in eine Tiefe von 50 Nanometern zu bearbeiten und in dieser Tiefe die Atome
zu deponieren, in der sich später der Nano-Draht bildet. Dabei gelingt es uns,
den Ausgangspunkt des Drahtes und die Länge exakt zu bestimmen. Die Probe wird
dann aufgeheizt und selbstorganisierende Keimbildungs- und Wachstumsprozesse
führen zur Bildung des endgültigen Nano-Drahtes."
So ist es jetzt
gelungen, Nano-Drähte mit Durchmessern von 10 bis 20 Nanometern (1 Nanometer = 1
Millionstel Millimeter) und in Längen von bis zu 10 Mikrometern (1 Mikrometer =
1 Tausendstel Millimeter) herzustellen. Der Herstellungsprozess besteht aus 2
Schritten: Zunächst bedampft man die Rückseite einer Silizium-Scheibe mit einem
dünnen Kobaltfilm. Anschließend werden mit dem fein gebündelten Ionenstrahl
Ionen in die Vorderseite der Silizium-Scheibe implantiert, wo diese gezielt
Kristalldefekte erzeugen, die quasi als Keimlinge für das Wachstum der
Nano-Drähte fungieren. Während eines nachfolgenden Temperschrittes entsteht im
Ergebnis ein Kobaltdisilizid-Draht im Silizium-Wafer, dem gängigen
Ausgangsmaterial zur Produktion von Chips für die Mikroelektronik-Industrie.
Dieses Kobaltdisilizid ist ein geeignetes Material für die Silizium-Technologie:
es ist dem Silizium in seiner Gitterstruktur sehr ähnlich und weist zudem eine
sehr gute Leitfähigkeit auf, so dass der Einsatz von Kobaltdisilizid-Drähten als
Elemente von elektronischen Strukturen oder für die "Verdrahtung" zwischen
Bauelementen denkbar ist.
Ein weiterer Vorteil der Ionenstrahl-Technik
ist, dass in verschiedene Materialoberflächen Nano-Drähte aus unterschiedlichen
Ionen-Sorten - wie Gold oder Platin - implantiert werden können. Hierfür ist
langjähriges Know-How für den Einsatz von fein fokussierten Ionenstrahlen (im
Fachjargon "Focussed Ion Beam", abgekürzt FIB) notwendig, das im FZD vorliegt.
Die Forschungsergebnisse wurden jüngst in der Zeitschrift "Applied Physics
Letters" veröffentlicht.
Quelle: Pressemitteilung Informationsdienst Wissenschaft e.V.